A New Behavioral Model of Gate-Grounded NMOS for Simulating Snapback Characteristics
A New Behavioral Model of Gate-Grounded NMOS for Simulating Snapback Characteristics
复制标题
用于模拟快速恢复特性的栅极接地 NMOS 的新行为模型
DOI：
10.1109/access.2020.2972042
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Wang Yuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Yize;Lu Guangyi;Wang Yuan
提出了一种新的栅极接地NMOS(GgNMOS)器件的行为模型，用于快速回复行为的静电放电(ESD)模拟。简明的SnapBack型号是针对HIGH内置SPICE型号缺乏Snapback特性的解决方案
A new behavioral model of gate-grounded NMOS (ggNMOS) device is proposed for electrostatic discharge (ESD) simulation of snapback behavior. The concise snapback model is a solution for the lack of snapback characteristics of build-in SPICE models in high
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影响因子：
2.3
作者：
Kyoung-Il Do;Byung-Seok Lee;Yong-Seo Koo
通讯作者：
Kyoung-Il Do;Byung-Seok Lee;Yong-Seo Koo
影响因子：
3.1
作者：
N. K. Kranthi;M. Shrivastava
通讯作者：
N. K. Kranthi;M. Shrivastava
影响因子：
3.1
作者：
S. Yen;Chun‐Hu Cheng;C. Fan;Y. Chiu;H. Hsu;Y. Lan;Chun-Yen Chang
通讯作者：
S. Yen;Chun‐Hu Cheng;C. Fan;Y. Chiu;H. Hsu;Y. Lan;Chun-Yen Chang
DOI：
--
发表时间：
2011-10
期刊：
EOS/ESD Symposium Proceedings
影响因子：
--
作者：
D. Johnsson;H. Gossner
通讯作者：
D. Johnsson;H. Gossner
DOI：
--
发表时间：
2010-11
期刊：
Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2010
影响因子：
--
作者：
Weiying Li;Yu Tian;Linpeng Wei;C. Gill;Wei Mao;Chuanzheng Wang
通讯作者：
Weiying Li;Yu Tian;Linpeng Wei;C. Gill;Wei Mao;Chuanzheng Wang