Minimum-Energy Digital Computing With Steep Subthreshold Swing Tunnel FETs
Minimum-Energy Digital Computing With Steep Subthreshold Swing Tunnel FETs
复制标题
采用陡亚阈值摆幅隧道 FET 的最低能耗数字计算
DOI：
10.1109/jxcdc.2020.3024798
复制
发表时间：
2020
影响因子：
2.4
通讯作者：
Calhoun, Benton H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Truesdell, Daniel S.;Ahmed, Sheikh Z.;Ghosh, Avik W.;Calhoun, Benton H.
登录
查看更多内容
隧道场效应晶体管建模——从界面化学到非理想性再到电路级性能
影响因子：
3.2
作者：
Ahmed, Sheikh Z.;Tan, Yaohua;Truesdell, Daniel S.;Calhoun, Benton H.;Ghosh, Avik W.
通讯作者：
Ghosh, Avik W.
影响因子：
2.3
作者：
Avci, Uygar E.;Morris, Daniel H.;Young, Ian A.
通讯作者：
Young, Ian A.
二维垂直隧道 FET 中分布效应的紧凑建模及其对直流和射频性能的影响
影响因子：
2.4
作者：
Jie Min;P. Asbeck
通讯作者：
P. Asbeck
DOI：
10.1109/iedm.2013.6724744
发表时间：
2013-12
期刊：
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
U. Avci;D. Morris;S. Hasan;R. Kotlyar;Raseong Kim;R. Rios;D. Nikonov;I. Young
通讯作者：
U. Avci;D. Morris;S. Hasan;R. Kotlyar;Raseong Kim;R. Rios;D. Nikonov;I. Young
适用于所有操作方式（包括陷阱辅助隧道效应）的隧道 FET 紧凑模型
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
Device Research Conference
影响因子：
--
作者：
R. Sajjad;D. Antoniadis
通讯作者：
D. Antoniadis