Investigation of Switching Time in GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes by Experiments and P-SPICE Models
Investigation of Switching Time in GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes by Experiments and P-SPICE Models
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通过实验和 P-SPICE 模型研究 GaN/AlN 谐振隧道二极管的开关时间
DOI：
10.1109/ted.2019.2955360
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发表时间：
2020
影响因子：
3.1
通讯作者：
Brown, E. R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, W.-D.;Growden, T. A.;Storm, D. F.;Meyer, D. J.;Berger, P. R.;Brown, E. R.
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