Growth of Tensile Strained Poly Germanium Thin Film on Glass Substrates by High Speed Continuous Wave Laser Annealing, and its Application to Germanium-Tin
Growth of Tensile Strained Poly Germanium Thin Film on Glass Substrates by High Speed Continuous Wave Laser Annealing, and its Application to Germanium-Tin
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高速连续波激光退火在玻璃基板上生长拉伸应变多聚锗薄膜及其在锗锡中的应用
DOI：
10.1149/2162-8777/aba4f1
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发表时间：
2020
影响因子：
2.2
通讯作者：
Fukata Naoki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki
为了实现下一代电子学，采用可实现微秒级退火的连续波激光退火系统研究了石英衬底上锗基材料的液相晶化。结果表明，在石英衬底上生长出了大晶粒的多晶锗薄膜，其拉伸应变为≤ 0.6%。并将此方法应用于锗锡薄膜的生长，获得了高代位锡浓度的锗锡晶体（高达13%）。通过使用这些薄膜，在晶体中的锡浓度依赖于退火时间的调制现象进行了观察。从这些现象中，我们还可以进一步讨论置换Sn浓度对拉曼信号的强相关性。这些发现和讨论将促进锗锡薄膜生长和表征的研究。
To realize next generation electronics, liquid phase crystallization of germanium based materials on quartz substrates is investigated by continuous wave laser annealing system which enables microsecond annealing. As a result, large grain polycrystalline germanium thin film with∼ 0.6% tensile strain has successfully grown on quartz substrates. Moreover, we have applied this method on germanium-tin thin film growth and realized germanium-tin crystals with high substitutional tin concentration (up to∼ 13%). By using these films, modulation phenomena of tin concentration in the crystals depending on annealing time were observed. From the phenomena, we could also closely discuss about strong correlation of substitutional Sn concentration on Raman signals. These findings and discussions will facilitate the study of germanium-tin thin film growth and characterization.
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通讯作者：
K. Temst