Emergiing nanoscale silicon devices taking advantage of nanostructure physics
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利用纳米结构物理的新兴纳米级硅器件
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G.Tsutsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hiramoto;M.Saitoh;G.Tsutsui
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具有高电压增益的硅单孔晶体管中非常尖锐的室温负微分电导
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
Kousuke Miyaji;Masumi Saitoh;Toshiro Hiramoto
通讯作者：
Toshiro Hiramoto
15 nm 栅极长度平面 CMOS 晶体管
DOI：
10.1109/iedm.2001.979669
发表时间：
2001
期刊：
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224)
影响因子：
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作者：
B. Yu;H. Wang;A. Joshi;Q. Xiang;E. Ibok;M. Lin
通讯作者：
M. Lin
影响因子：
4.9
作者：
Gen Tsutsui;Masumi Saitoh;Toshiro Hiramoto
通讯作者：
Gen Tsutsui;Masumi Saitoh;Toshiro Hiramoto
影响因子：
4
作者：
K. Miyaji;M. Saitoh;T. Hiramoto
通讯作者：
K. Miyaji;M. Saitoh;T. Hiramoto
SOI 厚度小于 6nm 的 (110) 取向超薄体 pMOSFET 具有卓越的迁移特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
Gen Tsutsui;Masumi Saitoh;Toshiro Hiramoto
通讯作者：
Toshiro Hiramoto