Miniature Mesa Extension for a Planar Submicron AlGaN/GaN HEMT Gate Formation.
Miniature Mesa Extension for a Planar Submicron AlGaN/GaN HEMT Gate Formation.
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DOI：
10.3390/mi13112007
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发表时间：
2022-11-18
期刊：
影响因子：
3.4
通讯作者：
Elgaid, Khaled
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Alathbah, Moath;Elgaid, Khaled
在这封信中，提出了一种新的方法来克服AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）中的问题，如传统梅萨隔离引起的栅极金属不连续性。这通常需要仔细的梅萨蚀刻工艺以获得各向异性台面壁轮廓。一种替代技术是使用离子注入来进行器件隔离，而不是使用传统的梅萨来形成平面器件。然而，离子注入是一个昂贵的过程，并不总是容易实现。在这项工作中，所提出的方法是简单地延长台面下方的梅萨刚刚足以容纳gatefeed，从而确保整个栅极是平面结构的gatefeed。新开发的设备没有表现出对DC（直流电）和RF（射频）性能的损害。相反，它产生了一个平面栅极配置与增强的DC击穿电压（约20%的增加被观察到）和较低的栅极泄漏，而蚀刻工艺大大简化。同样，申报器械（器械B）的射频阻抗增加了80%，从而显著改善了射频性能。
In this letter, a novel approach is presented to overcome issues in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), such as metal discontinuity of the gate stemmed from conventional mesa isolation. This usually requires a careful mesa etch process to procure an anisotropic mesa-wall profile. An alternative technique is the use of ion implantation for device isolation instead of conventional mesa for a planar device formation. However, ion implantation is a costly process and not always easily accessible. In this work, the proposed method is to simply extend the mesa below the gate just enough to accommodate the gatefeed, thereby ensuring the entire gate is planar in structure up to the gatefeed. The newly developed device exhibited no compromise to the DC (direct current) and RF (radio frequency) performance. Conversely, it produced a planar gate configuration with an enhanced DC transconductance (approximately 20% increase is observed) and a lower gate leakage while the etch process is considerably simplified. Similarly, the RF transconductance of proposed device (device B) increased by 80% leading to considerable improvements in RF performance.
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影响因子：
4
作者：
Arulkumaran, S.;Ng, G. I.;Lee, C. H.
通讯作者：
Lee, C. H.
影响因子：
1.6
作者：
Chiu, Hsien-Chin;Chen, Chao-Hung;Chuang, Hao-Wei
通讯作者：
Chuang, Hao-Wei
DOI：
10.1002/pssa.200461563
发表时间：
2005-04-01
影响因子：
2
作者：
Palacios, T;Shen, L;Mishra, UK
通讯作者：
Mishra, UK
DOI：
10.3390/ma15030819
发表时间：
2022-01-21
期刊：
Materials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Min SR;Cho MS;Lee SH;Park J;An HD;Kim GU;Yoon YJ;Seo JH;Jang JW;Bae JH;Lee SH;Kang IM
通讯作者：
Kang IM
影响因子：
3.1
作者：
BAHL, SR;LEARY, MH;DELALAMO, JA
通讯作者：
DELALAMO, JA