Analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a partial GaN cap layer
Analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a partial GaN cap layer
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具有部分 GaN 盖层的 AlGaN/GaN HEMT 的分析模型
DOI：
10.1016/j.spmi.2018.07.031
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发表时间：
2018-11
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yang Yintang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo Haijun;Duan Baoxing;Wu Hao;Yang Yintang
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Maojun Wang;K. J. Chen