A Built-in Test Circuit for Detecting Open Defects by IDDT Appearance Time in CMOS ICs
A Built-in Test Circuit for Detecting Open Defects by IDDT Appearance Time in CMOS ICs
复制标题
一种利用IDDT出现时间检测CMOS IC开路缺陷的内置测试电路
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Shohei Suenaga and Hiroyuki Yotsuyanagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masaki Hashizume;Shohei Suenaga and Hiroyuki Yotsuyanagi
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/delta.2004.10031
发表时间：
2004
期刊：
Proceedings. DELTA 2004. Second IEEE International Workshop on Electronic Design, Test and Applications
影响因子：
--
作者：
S. Thomas;R. Makki;Sai Kishore Vavilala
通讯作者：
Sai Kishore Vavilala
CMOS 的 IDDQ 测试开启：一项实验研究
DOI：
10.1109/test.1995.529875
发表时间：
1995
期刊：
Proceedings of 1995 IEEE International Test Conference (ITC)
影响因子：
--
作者：
A. Singh;H. Rasheed;W. Weber
通讯作者：
W. Weber
使用电源瞬态信号进行路径延迟估计：使用傅立叶和小波分析的比较研究
DOI：
10.1109/iccad.2003.159760
发表时间：
2003
期刊：
ICCAD-2003. International Conference on Computer Aided Design (IEEE Cat. No.03CH37486)
影响因子：
--
作者：
Abhishek Singh;J. Tharian;J. Plusquellic
通讯作者：
J. Plusquellic
适用于超深亚微米 CMOS 电路的 i/sub DDT/ 测试方法
DOI：
10.1109/delta.2002.994659
发表时间：
2002
期刊：
Proceedings First IEEE International Workshop on Electronic Design, Test and Applications '2002
影响因子：
--
作者：
A. Chehab;R. Makki;M. Spica;David Wu
通讯作者：
David Wu
CMOS电路IDDT测试新方法
DOI：
10.1109/icccas.2008.4657982
发表时间：
2008
期刊：
2008 International Conference on Communications, Circuits and Systems
影响因子：
--
作者：
Maowen Nie;Hongbing Xu;Jian Zhang
通讯作者：
Jian Zhang