Formation of Anomalous Defect Structure on GaSb Surface by Low Temperature Sn Ion-Implantation
Formation of Anomalous Defect Structure on GaSb Surface by Low Temperature Sn Ion-Implantation
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低温Sn离子注入GaSb表面异常缺陷结构的形成
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Yoshiie
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Nitta;M.Taniwaki;T.Suzuki;Y;Hayashi;Y.Satoh;T.Yoshiie
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通过铁离子注入和退火非晶化在砷化镓中形成微孪晶
DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Taniwaki;T. Yoshiie;H. Koide;M. Ichihashi;N. Yoshimoto;H. Yoshida;Y. Hayashi
通讯作者：
Y. Hayashi
DOI：
10.1080/14786440808520351
发表时间：
1953-08
期刊：
Philosophical Magazine Series 1
影响因子：
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作者：
F. Frank
通讯作者：
F. Frank
离子注入 III-V 化合物半导体的非晶化和固相外延生长
影响因子：
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作者：
M. Taniwaki;M. Yanaba;T. Yoshiie;Y. Hayashi
通讯作者：
Y. Hayashi
影响因子：
3.5
作者：
M. Taniwaki;H. Koide;T. Yoshiie;Y. Hayashi;H. Yoshida
通讯作者：
H. Yoshida
锡离子注入砷化镓的非晶化和固相外延生长
影响因子：
3.2
作者：
M. Taniwaki;H. Koide;N. Yoshimoto;T. Yoshiie;S. Ohnuki;M. Maeda;K. Sassa
通讯作者：
K. Sassa