Improved characteristics for MOHOS memory with oxygen-rich GdO as charge storage layer annealed by NH3
Improved characteristics for MOHOS memory with oxygen-rich GdO as charge storage layer annealed by NH3
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以富氧 GdO 作为电荷存储层并经 NH3 退火的 MOHOS 存储器的改进特性
DOI：
10.1007/s00339-013-7990-y
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发表时间：
2014-06
影响因子：
2.7
通讯作者：
Lai P. T.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Lu;Xu J. P.;Chen J. X.;Lai P. T.
研究了以富氧或缺氧GdO为电荷存储层的金属氧化物-高k氧化物-硅（MOHOS）存储器在NH3或N2气氛下退火的特性。透射电子显微镜、X射线光电子能谱和X射线衍射
Characteristics of metal–oxide–high-k–oxide–silicon (MOHOS) memories with oxygen-rich or oxygen-deficient GdO as charge storage layer annealed by NH3 or N2 are investigated. Transmission electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diff
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