Analysis of Acid Yield Generated in Chemically Amplified Electron Beam Resist
Analysis of Acid Yield Generated in Chemically Amplified Electron Beam Resist
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化学放大电子束抗蚀剂产生的酸产率分析
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Shimokawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kozawa;T. Shigaki;K. Okamoto;A. Saeki;S. Tagawa;T. Kai;T. Shimokawa
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影响因子：
3.5
作者：
A. Saeki;T. Kozawa;S. Tagawa;H. B. Cao
通讯作者：
H. B. Cao
用于后光学光刻的聚（4-羟基苯乙烯）基化学放大抗蚀剂的酸生成机制：聚（4-羟基苯乙烯）和聚（4-甲氧基苯乙烯）的酸产率和去质子化行为
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
A. Nakano;T. Kozawa;K. Okamoto;S. Tagawa;T. Kai;T. Shimokawa
通讯作者：
T. Shimokawa
研究微观区域的辐射诱发反应，以基本了解光刻工艺中的电子束图案化（II）–抗蚀剂空间分辨率与离子物质空间分布之间的关系–
影响因子：
1.5
作者：
A. Saeki;T. Kozawa;Y. Yoshida;S. Tagawa
通讯作者：
S. Tagawa
使用硅上 20–100 keV 电子束光刻的抗蚀剂响应曲线测量反向散射系数
影响因子：
1.4
作者：
G. Watson;Diana C. Fu;S. Berger;D. Tennant;L. Fetter;A. Novembre;C. Biddick
通讯作者：
C. Biddick
碱性添加剂对化学放大抗蚀剂中酸的敏感性和扩散的影响
DOI：
10.1117/12.210361
发表时间：
1995
期刊：
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影响因子：
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作者：
K. Asakawa;T. Ushirogouchi;M. Nakase
通讯作者：
M. Nakase