Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal-oxide-semiconductor devices
Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal-oxide-semiconductor devices
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NO 退火对 4H-SiC 金属氧化物半导体器件氧化物绝缘体和过渡层中电荷陷阱的影响
DOI：
10.1088/1674-1056/25/9/097101
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发表时间：
2016-08
影响因子：
1.7
通讯作者：
Zhang, Yuming
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Liangyong;Tang, Guangming;Zhang, Yimen;Zhang, Yuming
利用随时间变化的偏压应力（TDBS）、电容 - 电压（C - V）等方法，研究了一氧化氮（NO）退火对n型4H - SiC金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）器件中氧化物绝缘体和过渡层内电荷陷阱的影响。
The effect of nitric oxide (NO) annealing on charge traps in the oxide insulator and transition layer in n-type 4H–SiC metal–oxide–semiconductor (MOS) devices has been investigated using the time-dependent bias stress (TDBS), capacitance–voltage (C–V), an
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影响因子：
4
作者：
FRIEDRICHS, P;BURTE, EP;SCHORNER, R
通讯作者：
SCHORNER, R
影响因子：
4.9
作者：
Okamoto, Dai;Yano, Hiroshi;Fuyuki, Takashi
通讯作者：
Fuyuki, Takashi
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1317
发表时间：
2006-10
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
A. Lelis;D. Habersat;G. López;J. McGarrity;F. B. McLean;N. Goldsman
通讯作者：
A. Lelis;D. Habersat;G. López;J. McGarrity;F. B. McLean;N. Goldsman
影响因子：
3.2
作者：
Joshua A. Taillon;J. Yang;C. Ahyi;J. Rozen;John R. Williams;L. Feldman;T. Zheleva;A. Lelis;L. Salamanca-Riba
通讯作者：
Joshua A. Taillon;J. Yang;C. Ahyi;J. Rozen;John R. Williams;L. Feldman;T. Zheleva;A. Lelis;L. Salamanca-Riba
影响因子：
3.1
作者：
Lelis, Aivars J.;Habersat, Daniel;Goldsman, Neil
通讯作者：
Goldsman, Neil