Impact of crystallization manner of the buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layers on GaAs (111)A substrate
Impact of crystallization manner of the buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layers on GaAs (111)A substrate
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缓冲层结晶方式对GaAs(111)A衬底上GaN外延层结晶质量的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Murakami;Y.Kangawa;Y.Kumagai;A.Koukitu
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衬底极性对GaAs(111)A和(111)B表面低温GaN缓冲层生长的影响
影响因子：
1.8
作者：
H. Murakami;Y. Kumagai;H. Seki;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
使用双缓冲层的金属有机氯化氢 VPE 在 GaAs(111)B 上生长 GaN
影响因子：
1.5
作者：
N. Takahashi;S. Matsuki;Akinori Koukitu Akinori Koukitu;Hisashi Seki Hisashi Seki
通讯作者：
Hisashi Seki Hisashi Seki
覆盖有薄 GaN 缓冲层的 GaAs (111)A 衬底的高温升温速率可在 1000°C 下生长厚 GaN
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;H. Murakami;Y. Kangawa;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu
Y.KUMAGAI：“通过金属有机氯化氢气相外延在 GaAs (111) A 表面上生长厚六方 GaN 层以实现独立式 GaN”Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L703-L706 (2000)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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通过金属有机氯化氢气相外延研究 GaAs (111)A 和 (111)B 表面上 GaN 生长的衬底取向依赖性。
影响因子：
1.5
作者：
Y. Kumagai;A. Koukitu;H. Seki
通讯作者：
H. Seki