Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique
Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique
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采用直流电流-电压技术研究辐射对 SOI NMOSFET 界面陷阱的影响
DOI：
10.1109/access.2019.2935532
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Linchun Gao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yangyang Li;Xiaojing Li;Linchun Gao
本文研究了总电离剂量辐射对SOI NMOSFET背栅界面陷阱的影响。研究了辐照过程中SOI NMOSFET的Si/SiO2背栅界面陷阱的浓度和能量分布，
This paper investigates the effect of total ionizing dose radiation on back-gate interface traps in SOI NMOSFETs. The concentration and energy distribution of interface traps at Si/SiO2 back-gate interface of SOI NMOSFETs during irradiation are
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影响因子：
4.9
作者：
Yandong He;Ganggang Zhang;Lin Han;Xing Zhang
通讯作者：
Yandong He;Ganggang Zhang;Lin Han;Xing Zhang
DOI：
10.1109/icsict.2006.306101
发表时间：
2006-10
期刊：
2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings
影响因子：
--
作者：
Zuhui Chen;B. Jie;C. Sah
通讯作者：
Zuhui Chen;B. Jie;C. Sah
影响因子：
1.8
作者：
M. Shaneyfelt;J. Schwank;D. Fleetwood;P. Winokur;K. L. Hughes;F. Sexton
通讯作者：
M. Shaneyfelt;J. Schwank;D. Fleetwood;P. Winokur;K. L. Hughes;F. Sexton
DOI：
10.1109/irps.2009.5173348
发表时间：
2009-04
期刊：
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
J. Tseng;J. Hwu
通讯作者：
J. Tseng;J. Hwu
DOI：
10.1109/ppid.1998.725565
发表时间：
1998-06
期刊：
1998 3rd International Symposium on Plasma Process-Induced Damage (Cat. No.98EX100)
影响因子：
--
作者：
J. Yue;S. Sinha
通讯作者：
J. Yue;S. Sinha