Platinum–Copper Defects in Silicon
Platinum–Copper Defects in Silicon
复制标题
硅中的铂铜缺陷
DOI：
10.1002/pssa.201900311
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Weber
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
V. Kolkovsky;V. Kolkovsky;J. Weber
利用深能级瞬态光谱（DLTS）和拉普拉斯DLTS研究了n型FZ硅片中间隙铜（Cui）与取代铂杂质（Pts）的相互作用。将铜引入到生长过程中掺杂Pt的硅中，在铜污染的浆料中使用化学机械抛光（CMP）在室温下进行。在CMP过程后，观察到E80、E131、E147和E271四个新的水平。这些水平只在铂掺杂样品中观察到。通过对新能级深度分布的分析，可以排除新能级属于同一缺陷的不同电荷态的可能性。所有深度剖面的浓度总和约为3 × 1014cm−3，这对应于样品中的总ptsn浓度。因此，新的能级可归因于几种不同的缺陷，这些缺陷包含一个取代Pt和几个（1-4）间隙Cu原子。
The interaction of interstitial Copper (Cui) with substitutional platinum impurities (Pts) in n‐type FZ silicon wafers is studied by deep level transient spectroscopy (DLTS) and Laplace DLTS. Copper is introduced into silicon, which is Pt doped during growth, using chemo‐mechanical polishing (CMP) at room temperature in a copper‐contaminated slurry. After the CMP process, four new levels i.e., E80, E131, E147, and E271 are observed. These levels are only observed in Pt‐doped samples. From an analysis of the depth profiles of the new levels, it is ruled out, that the levels belong to different charge states of the same defect. The sum of concentrations of all depth profiles give a constant concentration of about 3 × 1014cm−3, which corresponds to the total PtSconcentration in the samples. Therefore, the new levels are attributed to several different defects which contain one substitutional Pt and several (1–4) interstitial Cu atoms.
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