SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証
SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証
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可自动优化驱动 SiC MOSFET 的数字有源栅极驱动器及其双脉冲测试验证
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
引原 隆士
中科院分区：
文献类型：
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作者：
福永 崇平;高山 創;引原 隆士
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影响因子：
4.1
作者：
Lelis, Aivars J.;Green, Ronald;Habersat, Daniel B.
通讯作者：
Habersat, Daniel B.
从亚阈值特性中提取 SiC MOSFET 界面陷阱密度的技术的灵敏度分析
DOI：
10.1109/irps.2014.6860589
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
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作者：
D. Hughart;J. Flicker;S. Atcitty;M. Marinella;R. Kaplar
通讯作者：
R. Kaplar
注入 4H 和 6H-SiC MOSFET 亚阈值区域中界面陷阱的表征
影响因子：
1.7
作者：
Y. Zeng;A. Softić;M. White
通讯作者：
M. White
在 SiO2 沉积和界面氮化之前通过 H2 蚀刻提高 4H-SiC MOSFET 的迁移率
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Tachiki;K. Ito;M. Kaneko;and T. Kimoto
通讯作者：
and T. Kimoto
影响因子：
3.9
作者：
Chaturvedi, Mayank;Dimitrijev, Sima;Jadli, Utkarsh
通讯作者：
Jadli, Utkarsh