Determination of Optimum Thermalization Distance Based on Trade-off Relationship between Resolution, Line Edge Roughness and Sensitivity of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists
Determination of Optimum Thermalization Distance Based on Trade-off Relationship between Resolution, Line Edge Roughness and Sensitivity of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists
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基于化学放大型极紫外光刻胶分辨率、线边缘粗糙度和灵敏度权衡关系确定最佳热化距离
DOI：
10.2494/photopolymer.24.137
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发表时间：
2011
影响因子：
0.8
通讯作者：
S. Tagawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kozawa;S. Tagawa
在化学放大极紫外（EUV）抗蚀剂中，二次电子的热化距离是导致原始EUV空间图像退化的主要原因，并且增加了线边缘粗糙度（LER）。然而，热化距离越长，分解的产酸剂越多。随着酸浓度的增加，抗蚀剂聚合物的极性变化所需的酸扩散长度减小。随着扩散长度的减小，由酸扩散引起的分辨率模糊被抑制。在这项研究中，我们研究了最佳热化距离，以获得最佳的潜像质量。在10wt%酸产生剂（TPS-tf）浓度下，32 nm线和空间图案的最佳热化距离为7 nm。最佳热化距离随线间距的减小而减小。对于11 nm的半节距，最佳热化距离为3 nm，这与聚（4-羟基苯乙烯）基质中的最佳热化距离大致相同。
In chemically amplified extreme ultraviolet (EUV) resists, the thermalization distance of secondary electrons is a major cause of the degradation of the original EUV aerial image and increases the line edge roughness (LER). However, the longer the thermalization distance is, the more acid generators are decomposed. As the acid concentration increases, the acid diffusion length required for the polarity change of resist polymers decreases. With the reduction in diffusion length, the resolution blur induced by acid diffusion is suppressed. In this study, we investigated the optimum thermalization distance for obtaining the best latent image quality. The optimum thermalization distance for 32 nm line-and-space patterns was 7 nm at 10 wt% acid generator (TPS-tf) concentration. The optimum thermalization distance decreased with the half-pitch of line-and-space patterns. For 11 nm half-pitch, the optimum thermalization distance was 3 nm, which is approximately the same as that in the poly(4-hydroxystyrene) matrix.
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