Difference in etching between Si(111) and (001) surfaces induced by atomic hydrogen irradiation observed by noncontact atomic force microscopy

Difference in etching between Si(111) and (001) surfaces induced by atomic hydrogen irradiation observed by noncontact atomic force microscopy
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非接触原子力显微镜观察原子氢辐照引起的Si(111)和(001)表面刻蚀差异

DOI:
10.7567/jjap.54.08lb08
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发表时间:
2015
影响因子:
1.5
通讯作者:
Masahiko Tomitori
Masahiko Tomitori
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
--
作者:
Tomoaki Miyagi;Akira Sasahara;Masahiko Tomitori

文献摘要

参考文献

被引文献

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