Resistive switching behavior in diamond-like carbon films grown by pulsed laser deposition for resistance switching random access memory application
Resistive switching behavior in diamond-like carbon films grown by pulsed laser deposition for resistance switching random access memory application
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通过脉冲激光沉积生长的类金刚石碳膜的电阻切换行为，用于电阻切换随机存取存储器应用
DOI：
10.1063/1.3703063
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发表时间：
2012-04
影响因子：
3.2
通讯作者：
Ren, Tianling
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Xiaozhong;Xie, Dan;Yang, Yi;Zang, Yongyuan;Gao, Xili;Zhou, Changjian;Feng, Tingting;Tian, He;Ren, Tianling
在脉冲激光沉积技术制备的氮掺杂类金刚石（DLC）薄膜上观察了非易失性双极电阻记忆效应。结果表明，制备的Pt/Ti/DLC/Pt结构具有良好的存储性能，其ON/OFF比为>0，数据保持时间为>104 s，工作电压<1.5 V。在低阻状态和高阻状态下，电流机制符合欧姆和空间电荷限制传导定律。金属细丝的形成/断裂是由于钛离子的扩散。
In this paper, nonvolatile bipolar resistive memory effects were observed in nitrogen doped diamond-like carbon (DLC) thin films prepared by a pulsed laser deposition technique. It is observed that the fabricated Pt/Ti/DLC/Pt structure exhibits good memory performances with an ON/OFF ratio >10, data retention time >104 s, and low operation voltage (<1.5 V). The current mechanism is fitted by Ohmic and space charge limited conduction laws in low resistance state and high resistance state scenarios. The formation/rupture of metal filaments is due to the diffusion of the titanium ions.
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