Laser Interference Nanolithography with a 405nm Fiber Semiconductor Laser
Laser Interference Nanolithography with a 405nm Fiber Semiconductor Laser
复制标题
使用 405 nm 光纤半导体激光器进行激光干涉纳米光刻
DOI：
10.4028/www.scientific.net/kem.552.262
复制
发表时间：
2013-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jin Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lanjiao Liu;Le Zhao;Yue Yong;Jin Zhang
本文提出了一种利用波长为405 nm的光纤半导体激光器在抗蚀剂上形成干涉图案的激光干涉纳米光刻方法。在该方法中，表面图案结构是通过
This paper presents a method of laser interference nanolithography for the formation of interference patterns on the resist using a fiber semiconductor laser with a wavelength of 405nm. In the method, surface pattern structures are fabricated through the
登录
查看更多内容
影响因子：
3.5
作者：
C. Tan;C. Peng;J. Pakarinen;M. Pessa;V. N. Petryakov;Yu. K. Verevkin;J. Zhang;Z. Wang;S. Olaizola;T. Berthou;S. Tisserand
通讯作者：
C. Tan;C. Peng;J. Pakarinen;M. Pessa;V. N. Petryakov;Yu. K. Verevkin;J. Zhang;Z. Wang;S. Olaizola;T. Berthou;S. Tisserand
DOI：
10.1117/12.808834
发表时间：
2009-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Rodríguez;M. Ellman;I. Ayerdi;N. Perez;S. Olaizola;J. Zhang;Z. Ji;T. Berthou;C. Peng;Y. K. Verevkin;Z. Wang
通讯作者：
A. Rodríguez;M. Ellman;I. Ayerdi;N. Perez;S. Olaizola;J. Zhang;Z. Ji;T. Berthou;C. Peng;Y. K. Verevkin;Z. Wang
影响因子：
1.4
作者：
C. G. Chen;R. Heilmann;C. Joo;P. Konkola;G. Pati;M. Schattenburg
通讯作者：
C. G. Chen;R. Heilmann;C. Joo;P. Konkola;G. Pati;M. Schattenburg
影响因子：
1.9
作者：
L. Johnson;G. Kammlott;K. Ingersoll
通讯作者：
L. Johnson;G. Kammlott;K. Ingersoll
影响因子：
3.3
作者：
C. Tan;C. Peng;V. N. Petryakov;Yu. K. Verevkin;J. Zhang;Z. Wang;S. Olaizola;T. Berthou;S. Tisserand;M. Pessa
通讯作者：
C. Tan;C. Peng;V. N. Petryakov;Yu. K. Verevkin;J. Zhang;Z. Wang;S. Olaizola;T. Berthou;S. Tisserand;M. Pessa