Threshold voltages and their distribution of Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/SiFeFETS
Threshold voltages and their distribution of Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/SiFeFETS
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Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/SiFeFETS的阈值电压及其分布
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
LI Qiuhong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
LI Qiuhong
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影响因子：
3.1
作者：
NISHINOHARA, K;SHIGYO, N;WADA, T
通讯作者：
WADA, T
Ag/PLZT/LSCO 场效应晶体管中的强调制电导率
DOI：
10.1080/10584580212361
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Grekhov;L. Delimova;I. Liniĭchuk;D. Mashovets;I. Veselovsky
通讯作者：
I. Veselovsky
Si 衬底上旋涂溶液沉积 Bi4Ti3O12 薄膜的物理性质
DOI：
10.1080/00150199708228364
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Alexe;A. Pignolet;S. Senz;D. Hesse
通讯作者：
D. Hesse
DOI：
10.1080/10584589308216711
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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作者：
Eric B. Smith;He Lin;T. A. Rost;T. Rabson
通讯作者：
T. Rabson
铁电栅极晶体管
DOI：
10.1080/10584589508019350
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Rabson;T. Rost;H. Lin
通讯作者：
H. Lin