Crosstalk Analysis and Countermeasures of High-Bandwidth 3D-Stacked Memory Using Multi-Hop Inductive Coupling Interface
Crosstalk Analysis and Countermeasures of High-Bandwidth 3D-Stacked Memory Using Multi-Hop Inductive Coupling Interface
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采用多跳电感耦合接口的高带宽3D堆叠存储器的串扰分析及对策
DOI：
10.1587/transele.2022cds0001
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发表时间：
2023
影响因子：
0.5
通讯作者：
and T. Kuroda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Shiba;A. Kosuge;M. Hamada;and T. Kuroda
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使用经过 40 纳米节点 2Gb DRAM 验证的 300 毫米晶圆，超薄至 4 微米，适用于 3D 多堆栈 WOW 应用
DOI：
10.1109/vlsit.2014.6894347
发表时间：
2014
期刊：
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Y. Kim;S. Kodama;Y. Mizushima;N. Maeda;H. Kitada;K. Fujimoto;T. Nakamura;D. Suzuki;A. Kawai;K. Arai;T. Ohba
通讯作者：
T. Ohba
用于 NAND 闪存堆叠的 2 Gb/s 15 pJ/b/芯片 电感耦合可编程总线
DOI：
10.1109/jssc.2009.2034431
发表时间：
2009
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
--
作者：
Mitsuko Saito;Y. Sugimori;Y. Kohama;Y. Yoshida;N. Miura;H. Ishikuro;T. Sakurai;T. Kuroda
通讯作者：
T. Kuroda
具有高速晶圆级 IO 测试方案和考虑温度分布的自适应刷新的 1.2 V 20 nm 307 GB/s HBM DRAM
影响因子：
5.4
作者：
Kyomin Sohn;Won;Reum Oh;C. Oh;Seong;Min;Dong;Won;Sang;Je;Hye;Jae;Hyunui Lee;Seok;Y. Sohn;J. Choi;Yong;Seong;G. Jin
通讯作者：
G. Jin
具有用于高密度电感通道阵列的差分电感器的 2 Gb/s 双向芯片间数据收发器
影响因子：
5.4
作者：
Y. Yoshida;N. Miura;T. Kuroda
通讯作者：
T. Kuroda
用于改善 AI 推理 TSV-SiP 热特性的 CoW 封装解决方案
DOI：
10.1109/ectc32696.2021.00182
发表时间：
2021
期刊：
2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC)
影响因子：
--
作者：
S. Seo;Chajea Jo;Mina Choi;Taehwan Kim;Hyoeun Kim
通讯作者：
Hyoeun Kim