Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike
Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike
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重离子撞击引起的 6H-SiC MOSFET 中的电荷增强效应
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Onoda;T. Makino;N. Iwamoto;G. Vizkelethy;K. Kojima;S. Nozaki;T. Ohshima
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MeV离子辐照SiC二极管瞬态电流分析
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
影响因子：
--
作者：
S. Onoda;T. Ohshima;T. Hirao;S. Hishiki;K. Mishima;N. Iwamoto;T. Kamiya;K. Kawano
通讯作者：
K. Kawano
InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管中电离诱导的载流子传输
影响因子：
1.8
作者：
D. McMorrow;A. Knudson;J. B. Boos;Doe Park;J. Melinger
通讯作者：
J. Melinger
离子能量对单粒子翻转的影响
影响因子：
1.8
作者：
P. Dodd;O. Musseau;M. Shaneyfelt;F. Sexton;C. D'hose;G. L. Hash;M. Martinez;R. A. Loemker;J. Leray;P. Winokur
通讯作者：
P. Winokur
GaAs MESFET 中的快速电荷收集
影响因子：
1.8
作者：
D. McMorrow;A. Knudson;A. Campbell
通讯作者：
A. Campbell
伽马辐照 p 沟道 6H-SiC MOSFET 的性能：高总剂量
影响因子：
1.8
作者：
K. K. Lee;T. Ohshima;H. Itoh
通讯作者：
H. Itoh