Combined atomic force microscopy and photoluminescence imaging to select single InAs/GaAs quantum dots for quantum photonic devices
Combined atomic force microscopy and photoluminescence imaging to select single InAs/GaAs quantum dots for quantum photonic devices
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结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个 InAs/GaAs 量子点
DOI：
10.48550/arxiv.1612.01920
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Sapienza L
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sapienza L
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