POLYCRYSTALLINE CO-BASED FULL-HEUSLER-ALLOY FILMS FOR SPINTRONIC DEVICES
POLYCRYSTALLINE CO-BASED FULL-HEUSLER-ALLOY FILMS FOR SPINTRONIC DEVICES
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用于自旋电子器件的多晶钴基全霍斯勒合金薄膜
DOI：
10.1142/s2010324714400219
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
1.8
通讯作者：
HIROHATA A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
HIROHATA A
为了将Heusler合金膜应用于下一代磁存储器和存储器，优化其多晶性质至关重要。在这篇综述中，我们确定了两个关键参数的优化;颗粒体积的界面磁性和磁动力学的激活体积。我们建立这些结构和磁体积和磁行为之间的相关性，然后优化这些属性。优化后的多晶薄膜具有低温退火（400 ℃，30 min）引起的250 Oe的交换偏置，这是由Heusler合金和反铁磁层之间的晶粒体积匹配引起的。尽管匹配的尺寸测量直径为7-8 nm，磁激活体积估计为几乎80 nm，这是一个数量级大于外延膜。这些值满足了下一代自旋电子器件应用的要求，并明确证明了多晶Heusler合金膜在未来自旋电子应用中的巨大潜力。
For the implementation of Heusler-alloy films into next-generation magnetic memories and storages, the optimization of their polycrystalline nature is critical. In this review, we identify two key parameters for the optimization; grain volume for interfacial magnetism and activation volume for magnetic dynamics. We establish correlations between these structural and magnetic volumes and magnetic behavior and then optimize these properties. The optimized polycrystalline films possess exchange bias of 250 Oe induced by low-temperature annealing (400°C for 30 min.), which is induced by the grain volume matching between the Heusler-alloy and antiferromagnetic layers. Despite the matching size measuring 7–8 nm in diameter, the magnetic activation volumes are estimated to be almost 80 nm which is one order of magnitude greater than that for epitaxial films. These values satisfy the requirements for next-generation spintronic device applications and unambiguously prove the great potential of the polycrystalline Heusler-alloy films for future spintronic applications.
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