A snapback suppressed reverse-conducting IGBT with soft reverse recovery characteristic
A snapback suppressed reverse-conducting IGBT with soft reverse recovery characteristic
复制标题
具有软反向恢复特性的回跳抑制反向导通IGBT
DOI：
10.1016/j.spmi.2013.06.012
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发表时间：
2013-09
影响因子：
3.1
通讯作者：
Li, Zhaoji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Weizhong;Li, Zehong;Zhang, Bo;Ren, Min;Liu, Yong;Li, Zhaoji
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DOI：
10.1109/ispsd.2011.5890789
发表时间：
2011-05
期刊：
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
L. Storasta;Munaf T. A. Rahimo;M. Bellini;A. Kopta;U. Vemulapati;N. Kaminski
通讯作者：
L. Storasta;Munaf T. A. Rahimo;M. Bellini;A. Kopta;U. Vemulapati;N. Kaminski
DOI：
10.1109/ispsd.2007.4294957
发表时间：
2007-05
期刊：
Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
Dinesh Kumar;M. Sweet;K. Vershinin;L. Ngwendson;E. Narayanan
通讯作者：
Dinesh Kumar;M. Sweet;K. Vershinin;L. Ngwendson;E. Narayanan
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538921
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
Min Chen;J. Lutz;H. Felsl;H. Schulze
通讯作者：
Min Chen;J. Lutz;H. Felsl;H. Schulze
DOI：
10.1109/ispsd.2007.4294939
发表时间：
2007-05
期刊：
Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
H. Rüthing;F. Hille;F. Niedernostheide;H. Schulze;B. Brunner
通讯作者：
H. Rüthing;F. Hille;F. Niedernostheide;H. Schulze;B. Brunner
DOI：
10.1109/ispsd.2009.5158057
发表时间：
2009-06
期刊：
2009 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's
影响因子：
--
作者：
Munaf T. A. Rahimo;A. Kopta;U. Schlapbach;J. Vobecký;R. Schnell;S. Klaka
通讯作者：
Munaf T. A. Rahimo;A. Kopta;U. Schlapbach;J. Vobecký;R. Schnell;S. Klaka