Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack
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La2O3/Y2O3 栅极堆叠 MOSFET 的电气特性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Iwai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Ahmet;K. Nakagawa;K. Kakushima;H. Nohira;K. Tsutsui;N. Sugii;T. Hattori;H. Iwai
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高κ栅极堆栈中的远程电荷散射降低了有效电子迁移率
影响因子：
1.5
作者：
M. Hiratani;S. Saito;Y. Shimamoto;K. Torii
通讯作者：
K. Torii
影响因子：
3.2
作者：
X. Lu;Zhi-guo Liu;Yiping Wang;Ying Yang;Xiao-Ping Wang;Honghui Zhou;B. Nguyen
通讯作者：
X. Lu;Zhi-guo Liu;Yiping Wang;Ying Yang;Xiao-Ping Wang;Honghui Zhou;B. Nguyen
0.6nm-EOT 高 k 栅堆叠，具有通过 HfO 2 和 Si 衬底之间的固相反应生长的 HfSiOx 界面层
影响因子：
2.3
作者：
A. Ogawa;K. Iwamoto;H. Ota;Y. Morita;M. Ikeda;T. Nabatame;A. Toriumi
通讯作者：
A. Toriumi
具有固相外延再生长结的 8-/spl Aring/ EOT HfO/sub 2//TaN 低热预算 n 沟道 FET 的电气特性
影响因子：
3.1
作者：
L. Ragnarsson;S. Severi;L. Trojman;K.D. Johnson;D. Brunco;M. Aoulaiche;M. Houssa;T. Kauerauf;R. Degraeve;A. Delabie;V. Kaushik;S. De Gendt;W. Tsai;G. Groeseneken;K. Meyer;M. Heyns
通讯作者：
M. Heyns
通过各种预沉积处理在 Si 上生长的 ALD HfO2 和 La2O3 栅极电介质的薄膜特性
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Triyoso;R. Hegde;J. Grant;P. Fejes;Ran Liu;D. Roan;M. Ramón;D. Werho;R. Rai;L. La;J. Baker;C. Garza;T. Guenther;B. White;P. Tobin
通讯作者：
P. Tobin