Optical and electrical investigation of Ar+-irradiated GaN
Optical and electrical investigation of Ar+-irradiated GaN
复制标题
Ar 辐照 GaN 的光学和电学研究
DOI：
10.7567/apex.7.111003
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发表时间：
2014-10
影响因子：
2.3
通讯作者：
Nakano, Yoshitaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ogawa, Daisuke;Kawakami, Retsuo;Niibe, Masahito;Nakano, Yoshitaka
利用光致发光、电容-电压和光电容技术研究了Ar+辐照GaN中深能级缺陷的产生行为。Ar+辐照引起近带边发射峰强度显著增加
The generation behavior of deep-level defects in Ar+-irradiated GaN has been investigated by photoluminescence, capacitance–voltage, and photocapacitance techniques. Ar+ irradiation induces a significant increase in near-band edge emission peak intensity
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DOI：
10.1002/pssc.200674792
发表时间：
2007-06
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
S. Nakamura;Yuki Ikadai;M. Suda;M. Suhara;T. Okumura
通讯作者：
S. Nakamura;Yuki Ikadai;M. Suda;M. Suhara;T. Okumura
影响因子：
1.5
作者：
B. Lai;Ching-Ting Lee;Jhen-Dong Hong;S. Yao;Day-Shan Liu
通讯作者：
B. Lai;Ching-Ting Lee;Jhen-Dong Hong;S. Yao;Day-Shan Liu
影响因子：
1.5
作者：
M. Niibe;T. Kotaka;Retsuo Kawakami;T. Inaoka;K. Tominaga;T. Mukai
通讯作者：
M. Niibe;T. Kotaka;Retsuo Kawakami;T. Inaoka;K. Tominaga;T. Mukai
影响因子：
4
作者：
Neugebauer, J;Van de Walle, CG
通讯作者：
Van de Walle, CG
影响因子：
1.4
作者：
B. Rong;E. V. Drift;R. Reeves;W. Sloof;R. Cheung
通讯作者：
B. Rong;E. V. Drift;R. Reeves;W. Sloof;R. Cheung