Low Threshold Distributed Reflector Laser Consisting of Wide and Narrow Wirelike Active Regions
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由宽窄线状有源区组成的低阈值分布式反射激光器
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Ohira
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masataka Ohta;Tomoyuki Miyamoto;Tetsuya Matsuura;Yasutaka Matsui;Tatsuya Furuhata;Fumio Koyama;K.Ohira;K.Ohira
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1.5 [microsign]m 波长 DBR 激光器，由埋有苯并环丁烯的 3/4 半导体和 3/4 槽组成
影响因子：
1.1
作者：
M. M. Raj;J. Wiedmann;Y. Saka;H. Yasumoto;S. Arai
通讯作者：
S. Arai
MOCVD 生长的 InP 上的高效长波长 VCSEL
影响因子：
1.1
作者：
N. Nishiyama;C. Caneau;G. Guryanov;Xingsheng Liu;M. Hu;C. Zah
通讯作者：
C. Zah
具有应变补偿势垒的GaInAsP/InP垂直堆叠多量子线的电子能带结构
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
S. Arai
具有线状有源区域的高性能 1.55-/spl mu/m 波长 GaInAsP-InP 分布式反馈激光器
影响因子：
4.9
作者：
N. Nunoya;M. Nakamura;M. Morshed;S. Tamura;S. Arai
通讯作者：
S. Arai
In0.72Ga0.28As0.60P0.40:Ge 中的光吸收
影响因子：
3.2
作者：
R. Rajalakshmi;B. Arora
通讯作者：
B. Arora