HielM: Highly flexible in-memory computing using STT MRAM
HielM: Highly flexible in-memory computing using STT MRAM
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HielM：使用 STT MRAM 的高度灵活的内存计算
DOI：
10.1109/aspdac.2018.8297350
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Fan, Deliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Parveen, Farhana;He, Zhezhi;Angizi, Shaahin;Fan, Deliang
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基于 STT-MRAM 的低功耗同步非易失性逻辑，具有定时解复用功能
DOI：
10.1145/2770287.2770295
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH)
影响因子：
--
作者：
Kejie Huang;Rong Zhao;Y. Lian
通讯作者：
Y. Lian
自调节传感电路，无速度损失，可实现可靠的 STT-MRAM
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
J.‐W. Ryu;K.‐W. Kwon
通讯作者：
K.‐W. Kwon
影响因子：
2.4
作者：
Z. Abid;A. Alma'aitah;M. Barua;W. Wang
通讯作者：
Z. Abid;A. Alma'aitah;M. Barua;W. Wang
DOI：
10.1109/tvlsi.2017.2776954
发表时间：
2018-03-01
影响因子：
2.8
作者：
Jain, Shubham;Ranjan, Ashish;Raghunathan, Anand
通讯作者：
Raghunathan, Anand
具有 5 端子磁畴壁运动器件的混合多态逻辑门
DOI：
10.1109/isvlsi.2017.35
发表时间：
2017
期刊：
2017 IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI)
影响因子：
--
作者：
Farhana Parveen;Zhezhi He;Shaahin Angizi;Deliang Fan
通讯作者：
Deliang Fan