A Novel High-Voltage Pseudo-p-LDMOS Device With Three Current Conductive Paths
A Novel High-Voltage Pseudo-p-LDMOS Device With Three Current Conductive Paths
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一种具有三个电流传导路径的新型高压伪p-LDMOS器件
DOI：
10.1109/ted.2018.2882016
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发表时间：
2019-01
影响因子：
3.1
通讯作者：
Bingke Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Moufu Kong;Bo Yi;Bingke Zhang
提出并研究了一种新的多电流通路高压伪p沟道横向双扩散MOS(p-LDMOS)。该功率器件由两个空穴电流路径(p沟道MOS器件)和一个电子电流路径(n沟道MOS器件)组成。N沟道器件的栅极由芯片内部的感应信号自动控制，因此可以认为该器件是一种p-LDMOS，与传统的p-LDMOS器件相比，比导通电阻降低了66.2%以上。此外，由于补偿了电子和空穴电流带来的电流密度，所提出的器件具有更好的安全工作区域。
A new concept high-voltage pseudo-p-channel lateral double-diffused MOS (p-LDMOS) with multiple current paths for conduction is proposed and investigated in this paper. The proposed power device consists of two hole current paths (p-channel MOS device) and one electron current path (n-channel MOS device). The gate of the n-channel device is automatically controlled by an induced signal inside the chip, thus the proposed device can be considered as a p-LDMOS with more than 66.2% reduction of specific on-resistance in comparison with the conventional p-LDMOS device. Furthermore, the proposed device has a much better safe operation area, since the compensation of the electric flux density brought by electron and hole currents.
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影响因子：
3.1
作者：
Shimamoto, Satoshi;Yanagida, Yohei;Noguchi, Junji
通讯作者：
Noguchi, Junji
DOI：
10.23919/ispsd.2017.7988958
发表时间：
2017-05
期刊：
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
C. Schmidt;G. Spitzlsperger
通讯作者：
C. Schmidt;G. Spitzlsperger
适用于 SPIC 的具有自动偏置 n-LDMOS 的 300V 超低比导通电阻高侧 p-LDMOS
影响因子：
6.7
作者：
Yi Bo;Chen Xingbi
通讯作者：
Chen Xingbi
适用于高压开关 IC 的具有现场 pLDMOS 的 250 V 薄层 SOI 技术
影响因子：
3.1
作者：
Qiao Ming;Zhang Kang;Zhou Xin;Zou Jie;Zhang Bo;Li Zhaoji
通讯作者：
Li Zhaoji
DOI：
10.1109/icsict.2001.981433
发表时间：
2001-10
期刊：
2001 6th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443)
影响因子：
--
作者：
Che Xing-bi;Fan Xue-feng
通讯作者：
Che Xing-bi;Fan Xue-feng