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International Topical Conference on the Physics of Silicon Dioxide and Its Interfaces, Yorktown Heights, New York, March 22-24, 1978

International Topical Conference on the Physics of Silicon Dioxide and Its Interfaces, Yorktown Heights, New York, March 22-24, 1978
二氧化硅及其界面物理国际专题会议，纽约约克敦高地，1978 年 3 月 22-24 日
批准号：
7713069
负责人：
Sokrates Pantelides
金额：
$0.2万
依托单位：
IBM Thomas J Watson Research Center
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1978
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1978-02-01 至 1978-07-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=7713069&HistoricalAwards=false
关键词：
InternationalTopicalConferencePhysicsSilicon

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Atomic-Scale Modeling of Defect-Mediated Device Degradation
  • 批准号：
    1508898
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $38.0万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
Multiscale theory of memristive materials systems
  • 批准号：
    1207241
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $31.7万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
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  • 批准号：
    0907385
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $155.64万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
Modeling Transport in Nanoscale MOSFETs - Meeting The Challenges of Next-Generation Devices
  • 批准号：
    0524655
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $20.99万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
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