Workshop on Effective One-Electron Potentials in Real Materials, Ossining, New York on March 21-22, 1980
实际材料中有效单电子势研讨会,奥西宁,纽约,1980 年 3 月 21-22 日
基本信息
- 批准号:8011083
- 负责人:
- 金额:$ 0.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:1980
- 资助国家:美国
- 起止时间:1980-03-15 至 1980-08-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Atomic-Scale Modeling of Defect-Mediated Device Degradation
缺陷介导的器件退化的原子尺度建模
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GOALI/FRG:碳化硅的氧化和结构-缺陷-迁移率关系
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纳米级 MOSFET 中的传输建模 - 应对下一代器件的挑战
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9803768 - 财政年份:1998
- 资助金额:
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Continuing Grant
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- 批准号:
9002490 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 0.5万 - 项目类别:
Standard Grant
19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988
第 19 届国际半导体物理会议,波兰华沙,1988 年 8 月 15-19 日
- 批准号:
8810248 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 0.5万 - 项目类别:
Standard Grant
18th International Conference on Physics of Semiconductors; Stockholm, Sweden; August 11-15, 1986 (Materials Research)
第18届国际半导体物理会议;
- 批准号:
8615245 - 财政年份:1986
- 资助金额:
$ 0.5万 - 项目类别:
Standard Grant
Third "Lund" International Conference on Deep-Level Impurities in Semiconductors, Southbury, Connecticut, May 26-29, 1981
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- 批准号:
8100197 - 财政年份:1981
- 资助金额:
$ 0.5万 - 项目类别:
Standard Grant
International Topical Conference on the Physics of Silicon Dioxide and Its Interfaces, Yorktown Heights, New York, March 22-24, 1978
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- 批准号:
7713069 - 财政年份:1978
- 资助金额:
$ 0.5万 - 项目类别:
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相似海外基金
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利用缺电子烯烃的反应性高效选择性合成环状化合物
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放电等离子体的高灵敏度和时间分辨电子密度测量,用于有效和选择性地生成活性物质
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基于非局域有效介质的长程电子关联第一性原理理论的发展及其在铁化合物中的应用
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25400404 - 财政年份:2013
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19740195 - 财政年份:2007
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$ 0.5万 - 项目类别:
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- 批准号:
17064006 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 0.5万 - 项目类别:
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