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19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988

19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988
第 19 届国际半导体物理会议，波兰华沙，1988 年 8 月 15-19 日
批准号：
8810248
负责人：
Sokrates Pantelides
金额：
$1.2万
依托单位：
IBM Thomas J Watson Research Center
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1988
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1988-07-01 至 1989-12-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8810248&HistoricalAwards=false
关键词：
19thInternationalConferencePhysicsSemiconductors

项目摘要

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中文摘要
翻译
这笔赠款将为美国科学家提供资金，用于参加1988年8月15日至19日在波兰华沙举行的第19届国际半导体物理会议。
英文摘要
This grant will provide U.S. scientists with funds to travel to the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors to be held in Warsaw, Poland, August 15-19, 1988.
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会议论文
Atomic-Scale Modeling of Defect-Mediated Device Degradation
  • 批准号：
    1508898
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $38.0万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
Multiscale theory of memristive materials systems
  • 批准号：
    1207241
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $31.7万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
GOALI/FRG: The Oxidation of Silicon Carbide and Structure-Defects-Mobility Relations
  • 批准号：
    0907385
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $155.64万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
Modeling Transport in Nanoscale MOSFETs - Meeting The Challenges of Next-Generation Devices
  • 批准号：
    0524655
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $20.99万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
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