课题基金 / 基金详情

Third "Lund" International Conference on Deep-Level Impurities in Semiconductors, Southbury, Connecticut, May 26-29, 1981

Third "Lund" International Conference on Deep-Level Impurities in Semiconductors, Southbury, Connecticut, May 26-29, 1981
第三届“隆德”半导体深层杂质国际会议，康涅狄格州绍斯伯里，1981 年 5 月 26-29 日
批准号：
8100197
负责人：
Sokrates Pantelides
金额：
$0.5万
依托单位：
IBM Thomas J Watson Research Center
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1981
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1981-04-15 至 1981-09-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8100197&HistoricalAwards=false
关键词：
ThirdLundInternationalConferenceDeep

项目摘要

项目成果

Sokrates Pantelides的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Atomic-Scale Modeling of Defect-Mediated Device Degradation
  • 批准号：
    1508898
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $38.0万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
Multiscale theory of memristive materials systems
  • 批准号：
    1207241
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $31.7万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
GOALI/FRG: The Oxidation of Silicon Carbide and Structure-Defects-Mobility Relations
  • 批准号：
    0907385
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $155.64万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
Modeling Transport in Nanoscale MOSFETs - Meeting The Challenges of Next-Generation Devices
  • 批准号：
    0524655
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $20.99万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Sokrates Pantelides
  • 依托单位：
    Vanderbilt University
国内基金
海外基金
北京谱仪实验物理中Lund弦碎裂强子化模型及其通用强子产生器研究
  • 批准号：
    10979059
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    35.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    胡海明
  • 依托单位：
    中国科学院高能物理研究所