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Insulated Gate Field Effect Transistor As Polarized Electrode

Insulated Gate Field Effect Transistor As Polarized Electrode
作为极化电极的绝缘栅场效应晶体管
批准号：
7800637
负责人：
Jiri Janata
金额：
$14.94万
依托单位：
University of Utah
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1978
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1978-05-01 至 1982-04-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=7800637&HistoricalAwards=false
关键词：
InsulatedGateFieldEffectTransistor

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Design of advanced sensing materials
  • 批准号：
    0452045
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Jiri Janata
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
SENSORS: SOLID STATE INTEGRATED PLATFORM FOR SENSING ARRAYS
  • 批准号：
    0327608
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $30.0万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    Jiri Janata
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
The New Challenges of Chemical and Biological Sensing (Workshop: January 9-10, 2002)
  • 批准号：
    0207142
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $8.07万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    Jiri Janata
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
Design of Advanced Sensing Materials
  • 批准号：
    0137391
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $36.0万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    Jiri Janata
  • 依托单位：
    Georgia Tech Research Corporation
国内基金
海外基金
面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
二次外延势垒层的新型p-gate GaN HEMT器件栅极可靠性研究
直接带隙In2Se3、GaTe纳米片/MoS2复合薄膜的制备及饱和吸收性能的研究
  • 批准号：
    2020A151501861
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    龙慧
  • 依托单位：
    广东工业大学
二次外延AlGaN势垒层的增强型p-gate GaN HEMT新结构研究