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Transparent-Gate Field Effect Transistors

Transparent-Gate Field Effect Transistors
透明栅极场效应晶体管
批准号：
8403035
负责人：
Richard Anderson
金额：
$1.71万
依托单位：
University of Vermont & State Agricultural College
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1984
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1984-12-01 至 1987-05-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8403035&HistoricalAwards=false
关键词：
TransparentGateFieldEffectTransistors

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Reproductive function in teenage and young adult cancer patients in the UK
  • 批准号：
    MR/W019140/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $115.53万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    Richard Anderson
  • 依托单位：
    University of Edinburgh
Identification of human-specific regulatory mechanisms in female germ cell development
  • 批准号：
    BB/R015635/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $49.6万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    Richard Anderson
  • 依托单位：
    University of Edinburgh
Technologies for Cooperative Learning in Rural India
  • 批准号：
    0633850
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    Richard Anderson
  • 依托单位：
    University of Washington
A Networked Classroom Curriculum for Environmental Science
  • 批准号：
    0536614
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $11.5万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Richard Anderson
  • 依托单位：
    University of Washington
国内基金
海外基金
面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
二次外延势垒层的新型p-gate GaN HEMT器件栅极可靠性研究
直接带隙In2Se3、GaTe纳米片/MoS2复合薄膜的制备及饱和吸收性能的研究
  • 批准号：
    2020A151501861
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    龙慧
  • 依托单位：
    广东工业大学
二次外延AlGaN势垒层的增强型p-gate GaN HEMT新结构研究