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U.S.-Turkish Channel Studies of Ion Implanted and Laser Annealed Semiconductors

U.S.-Turkish Channel Studies of Ion Implanted and Laser Annealed Semiconductors
美国-土耳其频道离子注入和激光退火半导体研究
批准号：
8513384
负责人：
John Eck
金额：
$1.0万
依托单位：
University of Toledo
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1985
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1985-09-01 至 1988-02-29
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8513384&HistoricalAwards=false
关键词：
U.S.TurkishChannelStudiesIon

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A Novel Continuing Higher Education Science Updating ProgramFor Kansas High School Science Teachers
  • 批准号：
    8319148
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $8.44万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    John Eck
  • 依托单位：
    Kansas State University
Sfc Travel Support (In Indian Currency) to Attend the Int'l Conference on Mossbauer Effect; Srinagar, India; July 1981
  • 批准号：
    8108233
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $0.29万
  • 财政年份：
    1981
  • 负责人：
    John Eck
  • 依托单位：
    Travel Award
Accelerator Studies of Heavy Ion Interaction
  • 批准号：
    7809836
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $1.8万
  • 财政年份：
    1978
  • 负责人：
    John Eck
  • 依托单位：
    Kansas State University
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