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SBIR: Substrate Heating for the Formation of Silicon-on- Insulator Structures by Oxygen Implantation
SBIR：通过氧注入形成绝缘体上硅结构的基板加热
基本信息
- 批准号：8560413
- 负责人：
- 金额：$ 3.96万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1986
- 资助国家：美国
- 起止时间：1986-02-01 至 1986-07-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Kim Bennell
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蛋白酶体稳态和底物优先顺序
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2305006 - 财政年份：2023
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$ 3.96万 - 项目类别：
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$ 3.96万 - 项目类别：
Studentship
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超高频段集成电路衬底附近磁场分布成像技术进展
- 批准号：
23H01425 - 财政年份：2023
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- 批准号：
10636441 - 财政年份：2023
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