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Advanced Silicon and Gallium-Arsenide Transistor Modeling and Automated Parameter Extraction for the Design of High Performance VLSI Circuits
用于高性能 VLSI 电路设计的先进硅和砷化镓晶体管建模和自动参数提取
基本信息
- 批准号：8710825
- 负责人：
- 金额：$ 7万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1987
- 资助国家：美国
- 起止时间：1987-09-01 至 1990-02-28
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 7万 - 项目类别：
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- 批准年份：2008
- 资助金额：18.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
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- 资助金额：
$ 7万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 7万 - 项目类别：
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$ 7万 - 项目类别：
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- 批准号：
0093552 - 财政年份：2001
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$ 7万 - 项目类别：
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9713371 - 财政年份：1997
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Uniform Monolayer Pealing by Cyclic Etching of Gallium Arsenide (100) and Silicon (100) Surfaces
通过砷化镓 (100) 和硅 (100) 表面的循环蚀刻实现均匀单层剥离
- 批准号：
9307259 - 财政年份：1993
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$ 7万 - 项目类别：
Continuing Grant
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砷化镓和硅基 VLSI（超大规模集成）SPICE 电路仿真器计算机程序的增强
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8117453 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 7万 - 项目类别：
Standard Grant
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钒镓和钒硅的结构转变与超导转变之间的关系
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$ 7万 - 项目类别：
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硅掺杂砷化镓二极管中的带尾效应
- 批准号：
6931596 - 财政年份：1969
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通过微妙的氧化还原化学作用，聚阴离子与镓、硅、锗和锡的氧化氢化 - 功能材料
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277832266 - 财政年份：
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$ 7万 - 项目类别：
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