Experimental and Theoretical Studies of Ultrathin Overlayerson Semiconductor Surfaces

半导体表面超薄覆盖层的实验和理论研究

• 批准号: 8718101
• 负责人: Ignatius Tsong
• 金额: $ 28.56万
• 依托单位: Arizona State University
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1988
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1988-11-15 至 1992-07-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8718101&HistoricalAwards=false
• 关键词: Experimental; Theoretical; Studies; Ultrathin; Overlayerson

The objective of the investigation is to systematically study the structure of surfaces of semiconductor materials. The program will emphasize impact collision ion scattering spectroscopy, scanning tunneling microscopy, and first principles pseudopotential total energy theoretical calculations. Impact collision ion scattering spectroscopy identifies the atomic species on the surface and provides structural information on the crystallographic unit cell of the surface atoms. The scanning tunneling microscopy provides an image of the surface on a localized atomic scale in three-dimensional scale. Total energy calculations give detailed information pertaining to the equilibrium atomic and electronic structures. The research is relevant to the surface of semiconducting materials used in integrated electronics, especially to the important topic of metallization.

调查的目的是系统地研究 半导体材料的表面结构。 程序 将强调撞击碰撞离子散射光谱， 扫描隧道显微镜和第一原理 赝势总能量理论计算。 影响 碰撞离子散射光谱鉴定原子 表面上的物种，并提供结构信息， 表面原子的晶体学晶胞。 扫描 隧道显微镜提供了一个图像的表面上， 在三维尺度上的局部原子尺度。 总能量 计算给出了与 平衡原子和电子结构。 本研究涉及半导体材料的表面 用于集成电子产品的材料，特别是 金属化的重要课题。