Properties of the Pseudo-Binary Wide Band Gap Semiconductor Silicon Carbide-Aluminum Nitride

准二元宽带隙半导体碳化硅-氮化铝的性能

基本信息

  • 批准号:
    0303237
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 33.63万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2003-05-01 至 2006-10-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The general aim of the proposed activities is to provide a basic understanding of the properties of the new wide band gap semiconductor, (SiC)1-x(AlN)x, reported recently by the PI, and to provide re-search experience in the synthesis and characterization of semiconductor films for students. The ap-proach is to utilize GSMBE (gas source molecular beam epitaxy) growth of the pseudo-binary ma-terials, (SiC)1-x(AlN)x , with variable composition x to explore the feasibility of band gap engineering in the range of 2.9 to 4.5 eV. The project includes the study of the growth mode of these films using in situ microscopic techniques. It is also proposed to investigate the fundamental properties of the (SiC)1-x(AlN)x films in terms of microstructure, electronic structure, defect density, and dopant spe-cies. %%% The project addresses fundamental research issues associated with electronic materials having technological relevance. An important feature of the project is the strong emphasis on education, and the integration of research and education. The proposed activities will include the involvement of under-represented minority undergraduate students in basic semiconductor materials research. It is hoped that the excitement generated in the research and discovery process will succeed in encour-aging under-represented minority students upon graduation to pursue master or doctoral programs in science and engineering.***
建议的活动的总体目标是提供一个新的宽带隙半导体,(SiC)1-x(AlN)x,最近由PI报告的性能的基本理解,并提供在半导体薄膜的合成和表征的研究经验,为学生。本方法是利用气体源分子束外延(GSMBE)生长的赝二元材料(SiC)_(1-x)(AlN)_x,在2.9 ~ 4.5eV范围内探索带隙工程的可行性。该项目包括使用原位显微技术研究这些薄膜的生长模式。本文还对(SiC)_(1-x)(AlN)_x薄膜的微观结构、电子结构、缺陷密度和掺杂种类等基本性质进行了研究。该项目解决了与具有技术相关性的电子材料相关的基础研究问题。该项目的一个重要特点是高度重视教育,并将研究与教育相结合。拟议的活动将包括代表性不足的少数民族大学生参与基本半导体材料研究。希望在研究和发现过程中产生的兴奋将成功地鼓励毕业后代表性不足的少数民族学生攻读科学和工程硕士或博士课程。

项目成果

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