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Engineering Research Equipment Grant: Suss MJB 3 UV 300 High Performance Aligner
工程研究设备资助：Suss MJB 3 UV 300 高性能对准器
基本信息
- 批准号：8806324
- 负责人：
- 金额：$ 3.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1988
- 资助国家：美国
- 起止时间：1988-09-01 至 1990-02-28
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The equipment that we are requesting will aid us in evaluation of processed semiconductor material. A high performance mask-aligner is requested to support research in microwave plasma etching of sub- micron structures and microwave plasma thin-film deposition of oxides and diamond. The aligner is necessary to allow our microwave etching work to proceed into the sub-micron feature size regime.
我们要求的设备将有助于我们评估 加工的半导体材料。 一种高性能掩模对准器， 要求支持研究微波等离子体蚀刻亚 微米结构和氧化物的微波等离子体薄膜沉积 和钻石。 校准器是必要的，使我们的微波蚀刻 工作进行到亚微米特征尺寸制度。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
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$ 3.5万 - 项目类别：
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