Microwave Plasma Processing for VLSI Technology

超大规模集成电路技术的微波等离子体处理

• 批准号: 8413596
• 负责人: Jes Asmussen
• 金额: $ 15.2万
• 依托单位: Michigan State University
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1985-10-15 至 1988-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8413596&HistoricalAwards=false
• 关键词: Microwave; Plasma; Processing; VLSI; Technology

This research focuses on the application of microwave discharges to plasma processing of integrated circuits. The experiments make use of a new microwave discharge reactor called a microwave plasma disk reactor. The reactor, which can be operated from above 10 Torr to less than 10;i-;i3 Torr in any gas, consists of a disk-shaped microwave discharge inside a tuneable cylindrical microwave cavity and is adaptable to many different experimental conditions. The research consists of three major tasks: plasma reactor characterization; microwave plasma oxidation experiments; and microwave plasma etching experiments. Although the experimental systems employed for each of these are to be similar, the investigation makes use of three separate experimental setups: one setup to characterize the microwave plasma, a separate experimental system to investigate oxidation, and an entirely new setup to investigate microwave plasma etching.

本研究重点关注微波放电在集成电路等离子体处理中的应用。 该实验使用了一种称为微波等离子体盘反应器的新型微波放电反应器。 该反应器可在任何气体中在 10 Torr 以上至 10;i-;i3 Torr 以下的压力下运行，由可调谐圆柱形微波腔内的盘形微波放电组成，可适应许多不同的实验条件。 该研究包括三个主要任务：等离子体反应器表征； 微波等离子体氧化实验；和微波等离子体蚀刻实验。 尽管每一个所采用的实验系统都是相似的，但该研究使用了三个独立的实验装置：一个用于表征微波等离子体的装置，一个用于研究氧化的单独的实验系统，以及一个用于研究微波等离子体蚀刻的全新装置。