Gain Resonances and Transit-Time Effects in High-Frequency Heterojunction Bipolar Transistors

高频异质结双极晶体管中的增益谐振和传输时间效应

• 批准号: 8818542
• 负责人: Sheila Prasad
• 金额: --
• 依托单位: Northeastern University
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1989-03-01 至 1990-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8818542&HistoricalAwards=false
• 关键词: Gain; Resonances; Transit; Time; Effects

This project will examine heterojunction bipolar transistors at high frequencies. There is a predicted resonance above about 60 GHz which the PI will attempt to find experimentally. The transistor will be designed to move the resonance to the experimentally accessible range below 40 GHz. The next stage of the project is to optimize the device design to the maximum possible frequency performance.

这个项目将研究异质结双极晶体管在高 频率. 在大约60 GHz以上存在预测的谐振， PI将尝试通过实验找到。 晶体管将是 设计成将共振移动到实验可达到的范围 低于40 GHz。 该项目的下一阶段是优化设备 设计最大可能的频率性能。