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HVPE growth of high quality bulk AlGaN

高品质块状 AlGaN 的 HVPE 生长

基本信息

批准号：
139552396
负责人：
Dr. Eberhard Richter
金额：
--
依托单位：
Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2010
资助国家：
德国
起止时间：
2009-12-31 至 2012-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/139552396?language=en
关键词：
HVPE growth quality bulk AlGaN

项目摘要

Dünne AIGaN-Schichten werden vielfältig in der Herstellung blauer bis ultravioletter Lichtemitter und mikroelektronischer Bauelemente wie z.B. HFETs verwendet. Die Bestimmung optischer und elektronischer Materialeigenschaften erfolgte größtenteils an heteroepitaktisch gewachsenem MOVPE- oder MBE-Material, das sich auf Fremdsubstraten wie Saphir oder SiC befand. Derartige Schichten sind normalerweise bedingt durch einen vom Substrat verschiedenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten oder biaxiale Verspannung durch das kohärente Wachstum von GaN oder AIN stark verspannt. Diese Verspannung beeinflusst die Materialeigenschaften. Mit der Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) ist es möglich AlGaN im gesamten Kompositionsbereich mit vergleichsweise hohen Wachstumsraten zu wachsen. Daher eröffnet dieses Verfahren die Möglichkeit Bulk-ähnliche Schichten herzustellen, die einen besseren Zugang zu den Materialeigenschaften gewährleisten können. Zusätzlich kann die Komposition solcher dicken Schichten für die Verwendung als Substrat für UV Lichtemitter mit ausreichender Transparenz bei minimierter Verspannung in der aktiven Region des Bauelements maßgeschneidert werden. Die Projektziele umfassen die Untersuchung des Wachstums dicker AIGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich sowie die Verbesserung der Materialqualität durch den Einsatz entsprechend entwickelter Substrate und angepasster Wachstumsbedingungen. Aus den erhaltenen hauptsächlich relaxierten oder sogar freistehenden AIGaN-Schichten hoher Kristallqualität werden grundlegende strukturelle, optische und elektronische Materialeigenschaften bestimmt Darüber hinaus ist die Demonstration der AIGaN-Schichten als Pseudosubstrate für UV-Emitter geplant.

Dünne AIGAN-Schichten韦尔登在Herstellung bluer bis ultravioletter Lichtemitter和mikroelektronischer Bauelemente wie z.B.中具有非常高的亮度。高场效应晶体管。光学和电子材料的特性研究主要包括异质外延MOVPE-或MBE-材料，这些材料以前是在Saphir或SiC衬底上生长的。Derartige Schichten sind normalerweise bedingt durch einen vom Substrat verzenen thermischen Ausdehnungskoeffizienten or der biaxiale Verspannung durch das kohärente Wachstum von GaN or der AIN stark verspannt.这些测试对材料特性有很大影响。氢化-砷化镓外延（HVPE）是一种高性能的AlGaN，其组成比普通的Wachstumsraten更好。Daher eröffnet dieses Verfahren die Möglichkeit Bulk-ähnliche Schichten herzustellen，die einen besseren Zugang zu den Materialeigenschaften gewährleisten können. Zusätzlich kann die Komposition solcher dicken Schichten für die Verwendung als Substrat für UV Lichtemitter mit ausreichender Schirrenz bei minimierter Verspannung in der aktiven Region des Bauelements maßgeschneidert韦尔登.该项目主要通过对AIGAN-Schichten的Wachstums的研究来确定材料质量，这些材料质量是通过对衬底和Wachstumsbedingungen的不确定性进行分析来确定的。通过对AIGAN-Schichten的结构、光学和电子材料特性的韦尔登质量的研究，证明了AIGAN-Schichten是紫外辐射装置的假基质。