Untersuchung des Röntgenzirkulardichroismus dünner Heusler Verbindungsschichten mit niedriger Curie-Temperatur

低居里温度薄赫斯勒结层的 X 射线圆二色性研究

• 批准号: 159663510
• 负责人: Dr. Jan Michael Schmalhorst
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Dünne Schichten und Physik der Nanostrukturen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/159663510?language=en
• 关键词: Untersuchung; des; ntgenzirkulardichroismus; nner; Heusler

In der Spinelektronik werden neben der Ladung der Elektronen auch deren magnetische Momente kontrolliert und manipuliert, um Bauelemente mit neuartiger Funktionalität zu realisieren. Grundlegende Materialien hierfür sind Ferromagnete mit hoher Spinpolarisation P, bei denen an der Fermikante EF die magnetischen Momente der Elektronen vorwiegend in eine Richtung orientiert sind. Bei vollständiger Spinorientierung entsprechend P = 100% spricht man von einem ferromagnetischen Halbmetall. Diese ideale Eigenschaft wurde für zahlreiche Materialien aus der Klasse der Heusler Verbindungen X2YZ (z.B. Co2MnSi, Co2Fe0.5Mn0.5Si, Co2TiSn) vorhergesagt. Unter Verwendung dieser Materialien wurden in magnetischen Tunnelkontakten bisher magnetfeldabhängige Widerstandsänderungen (Tunnelmagnetowiderstand, TMR) von über 200% bei Raumtemperatur erreicht.Wenngleich für die Anwendung vor allem Ferromagnete mit hoher Curie Temperatur TC wünschenswert sind, bietet die Untersuchung von Materialien mit niedrigem TC vor allem die Möglichkeit, Prozesse, die für die beobachtete Temperaturabhängigkeit des TMR verantwortlich sind, bis hin zur kritischen Temperatur zu studieren. Hier setzt das vorgeschlagene Projekt an. Es sollen zur Erweiterung der in Bielefeld durchgeführten Messungen der Transport- und der strukturellen Eigenschaften von auf Heusler Verbindungen basierenden Tunnelkontakten elementspezifische Untersuchungen der temperaturabhängigen magnetischen Eigenschaften von Co2TiSn (TC = 350K) an der Advanced Light Source in Berkeley, USA durchgeführt werden.

在Spinelektronik韦尔登中，电子的负载也包括磁控制和操纵，该部件具有可实现的中性功能。材料的基本原理是具有更高自旋极化P的铁磁体，在费米能级EF的作用下，电子器件的磁性元件以一种特定的方向取向。在一个铁磁半金属上，P = 100%的自旋取向是完全正确的。Diese ideale Eigenschaft wurde für zahlreiche Materialien aus der Klasse der Heusler Verbindungen X2YZ（z.B. Co2MnSi、Co2Fe0.5Mn0.5Si、Co2TiSn）的合金。Unter Verwendung dieser Materialien wurden in magnetischen Tunnelkontakten bisher magnetfeldabhängige Widerstandsänderungen（TMR）在室温下的磁饱和度为200%。如果对具有高居里温度TC的铁磁体进行分析，则可以对具有高居里温度TC的材料进行分析，然后对具有高居里温度TC的铁磁体进行分析，从而确定TMR的温度特性。这是他研究的临界温度。这是一个很好的项目。在比勒费尔德，通过对Heusler基于隧道元件特性的传输和结构特征的测量，解决了在美国伯克利的先进光源韦尔登对Co2TiSn（TC = 350 K）的温度和磁场特征的测量问题。