Untersuchung des Röntgenzirkulardichroismus an magnetischen Tunnelelementen

磁隧道元件的 X 射线圆二色性研究

• 批准号: 5422398
• 负责人: Dr. Jan Michael Schmalhorst
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Dünne Schichten und Physik der Nanostrukturen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5422398?language=en
• 关键词: Untersuchung; des; ntgenzirkulardichroismus; magnetischen; Tunnelelementen

Die magnetfeldabhängige Widerstandsänderung eines aus zwei, durch eine dünne Isolatorschicht voneinander getrennten, ferromagnetischen Elektroden bestehenden Tunnelelementes (MTJ) wird als Tunnelmagnetowiderstand (TMR) bezeichnet. Die maximale TMR-Amplitude bei Raumtemperatur beträgt derzeit 60 %. Im einfachsten Fall bestehen MTJs aus einer Schichtsequenz Antiferromagnet (AFM) / Ferromagnet (FM1) / Isolator / Ferromagnet (FM2), wobei durch den AFM die angrenzende Elektrode FM1 gespinnt wird (Exchange-Bias-Effekt), d.h. die Hysteresekurve von FM1 wird so verschoben, dass im feldfreien Zustand nur eine Magnetisierungsrichtung stabil eingenommen wird. Eine vor kurzem entwickelte Methode zur Ausrichtung des Exchange-Bias ist der Probenbeschuss mit Edelgasionen im Magnetfeld, was eine magnetische Mikrostrukturierung ermöglicht. Die Entwicklung neuer Materialien mit sehr hoher Spinpolarisation (idealerweise 100 %) wird es ermöglichen, den TMR-Effekt und somit seine Anwendbarkeit (Sensorik, nichtflüchtige Speicher etc.) weiter zu steigern. In dem hier beantragten Vorhaben sollen mittels des Röntgenzirkulardichroismus (XMCD) die elementspezifischen magnetischen Momente und chemischen Zustände an zwei ausgezeichneten Grenzflächen magnetischer Tunnelelemente gemessen werden: Zum einen soll die durch Edelgasionenbeschuss möglicherweise erzeugte Veränderung der Spinorientierung an der AFM-FM1-Grenzfläche vermessen werden, zum anderen soll die Grenzfläche zwischen einem ferromagnetischen Halbmetall und der Barriere charkaterisiert werden. Für die Messungen steht an der Advanced Light Source (ALS) des Lawrence Berkekley Laboratory, USA, bereits ausreichend Strahlzeit zur Verfügung.

这三种类型的隧道元素(MTJ)都是由TMR(TMR)构成的。最大TMR幅值比原温度降低60%。在MTJ的反铁磁体(AFM)/铁磁体(FM1)/隔离体/铁磁体(FM2)之前，我们正在面临的问题是，我们将在AFM和FM1之间形成角度偏置效应(Exchange-Bias-Effekt)。未来的曲线和FM1将会是如此，这是我的长寿和磁力的支持。Eine vor Kurzem entwickelte Methode zur Ausrichtung des Exchange-Bias ist der Probenbeschuss MIT Edelgasionen im Magnetfeld，is eine Magtische Mikrostrukturierung ermöglicht.Entwickung Neuer Materien MIT sehr Hoher Spinpolation(理想化100%)Will es ermöglichen，den TMR-Effekt and Somit seine Anwendbarkeit(Sensorik，Nichtflüchtige Speicher等)。更强大的祖斯泰格。在DEM Her Beantragen Vorhaben Sollen Mittels des Röntgenzirkulardichroismus(XMCD)和Element Element Spezischen Magtischen Momente and Chemischen Zustände an zwei augezeichneten GrizfläChen Magtischer Tunnelement e Gemessen：Zum einen soll die dh re ch Edelgasionenbe chuss möglicherweise erzeugte Veränderung der Spintiorierung an AFM-FM1-Grifläche verMessen weise erzeugte Veränderung an afm-fm1-grenzläche verMessen weden，zum anderen soldie fizchen zwicheinem fergezeichneten Grizflächen halball der der Ball der Barricharkaterisiert.Für die Messungen steht and Advanced光源(ALS)des Lawrence Berkekley实验室，美国劳伦斯·伯克利实验室，拥有其研究中心Strahlzeit Zur Verfügung。