Photoemissionsmikroskopische Untersuchungen magnetischer Tunnelelemente

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Magnetische Tunnelelemente werden derzeit in weltweit laufenden Forschungsprojekten des Bereiches Magneto- und Spinelektronik intensiv untersucht. Die magnetfeldabhängige Widerstandsänderung eines aus zwei, durch eine dünne Isolatorschicht voneinander getrennten, ferromagnetischen Elektroden bestehenden Tunnelelementes wird als Tunnelmagnetowiderstand bezeichnet. Die maximale TMR-Amplitude bei Raumtemperatur beträgt derzeit 60%. Zwei wesentliche Punkte begründen das große Interesse am TMR. Zum einen möchte man den spinabhängigen Tunnelprozess der Ladungsträger besser verstehen, andererseits sind zahlreiche, auf dem TMR basierende, Anwendungen denkbar. In dem hier beantragten Vorhaben sollen die Ursachen für den Anstieg des TMR mittels Röntgen-Photoemissionsmikroskopie untersucht werden. Mit dieser Methode lassen sich die elementspezifischen magnetischen Momente und chemischen Zustände in der Probe ortsaufgelöst messen. Die Messungen sollen an der Advanced Light Source des Lawrence Berkeley National Laboratory, USA, durchgeführt werden.