Photoemissionsmikroskopische Untersuchungen magnetischer Tunnelelemente

磁隧道元件韦尔登是世界上最大的磁和尖晶石电子器件研究项目之一。磁致伸缩器由两个不同的绝缘体组成，铁磁电极和隧道元件将被隧道磁致伸缩器固定。室温下的最大TMR振幅为60%。在TMR上有两个观点认为这是一个巨大的利益。在TMR的基础上，一个人可以更好地理解拉登斯特雷格隧道的隧道工艺，并且可以更快地理解隧道工艺。在这种情况下，我们可以通过探测伦琴-光发射光谱韦尔登来确定TMR的稳定性。Mit dieser Method lassen sich die elementspezifischen magnetischen Momente und chemischen Zustände in der Probe ortsaufgelöst messen.美国劳伦斯伯克利国家实验室先进光源的测量解决方案，由韦尔登出版。

Magnetische Tunnelelemente werden derzeit in weltweit laufenden Forschungsprojekten des Bereiches Magneto- und Spinelektronik intensiv untersucht. Die magnetfeldabhängige Widerstandsänderung eines aus zwei, durch eine dünne Isolatorschicht voneinander getrennten, ferromagnetischen Elektroden bestehenden Tunnelelementes wird als Tunnelmagnetowiderstand bezeichnet. Die maximale TMR-Amplitude bei Raumtemperatur beträgt derzeit 60%. Zwei wesentliche Punkte begründen das große Interesse am TMR. Zum einen möchte man den spinabhängigen Tunnelprozess der Ladungsträger besser verstehen, andererseits sind zahlreiche, auf dem TMR basierende, Anwendungen denkbar. In dem hier beantragten Vorhaben sollen die Ursachen für den Anstieg des TMR mittels Röntgen-Photoemissionsmikroskopie untersucht werden. Mit dieser Methode lassen sich die elementspezifischen magnetischen Momente und chemischen Zustände in der Probe ortsaufgelöst messen. Die Messungen sollen an der Advanced Light Source des Lawrence Berkeley National Laboratory, USA, durchgeführt werden.