MBE Wachstum von ferromagnetischen Nanodrähten (B11)

在本课题中，通过对GaMnAs-和MnAs-纳米线进行分子束辐射（MBE）处理，得到了纳米异质结，并在此基础上实现了一种单一的核-壳结构GaAs/GaMnAs纳米线韦尔登。项目B最好采用内掺杂B的纳米中性材料MnAs/GaAs; Vorteile des Nano-drahtwachstums gegenüber dem Schichtwachstum.In beiden Teilbereichen liegt der Schwerpunkt in der Optimierung der ferromag-netischen Eigenschaften der Nanodrähte.在相关关系式中，分析了影响磁共振参数的主要因素--形状、（晶体）结构和磁场强度，并采用了居里温度和磁各向异性的特征值。

In diesem Teilprojekt wird das mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) durchge-führte Wachstum von GaMnAs- und MnAs-Nanodrähten sowie daraus resultie-render Nanodraht-Heterostrukturen untersucht.Im Projektteil A sollen core-shell GaAs/GaMnAs Nanodrähte realisiert werden. Projektteil B befasst sich mit der innerhalb eines Nanodrahtes neuartigen Mate-rialkombination MnAs/GaAs; hier erwarten wir v.a. Vorteile des Nano-drahtwachstums gegenüber dem Schichtwachstum.In beiden Teilbereichen liegt der Schwerpunkt in der Optimierung der ferromag-netischen Eigenschaften der Nanodrähte. Der Einfluss verschiedener Wachs-tumsparameter auf die Form, (Kristall-)Struktur, und Defektdichte der Na-nodrähte wird analysiert und mit den magnetischen Eigenschaften (Curie-Temperatur und magnetische Anisotropie) in Korrelation gebracht.